Application of the Schottky diode as a detector of continuous terahertz radiation

肖特基二极管 太赫兹辐射 光电子学 砷化镓 探测器 材料科学 二极管 肖特基势垒 半导体 电压 光学 物理 电气工程 工程类
作者
A V Badin,V D Moskalenko,D. A. Pidotova
出处
期刊:Journal of physics [IOP Publishing]
卷期号:1862 (1): 012012-012012 被引量:1
标识
DOI:10.1088/1742-6596/1862/1/012012
摘要

Abstract The results of research of the electrophysical and frequency characteristics of the semiconductor structure of a Schottky diode based on gallium arsenide are presented. The diode structure was modelled in the Sentaurus TCAD software package. A comparison of the current-voltage characteristics obtained by mathematical modeling and by experiment are presented. The frequency response in the range of 115-257 GHz is shown. The use of a Schottky diode as a continuous terahertz radiation detector is shown.
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