Design and Comparative Analysis of Gate Stack Silicon Doped HfO2 Ferroelectric Vertical TFET

材料科学铁电性光电子学硅阈下斜率兴奋剂堆栈（抽象数据类型）量子隧道负阻抗变换器电容电气工程晶体管场效应晶体管电压电极电介质物理计算机科学量子力学工程类电压源程序设计语言

作者

Rupali Gupta,Saima Beg,Shailendra Singh

出处

期刊：Silicon [Springer Science+Business Media]
日期：2022-02-12 卷期号：14 (15): 9901-9908 被引量：5

标识

DOI：10.1007/s12633-022-01726-3

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