钙钛矿（结构）
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作者
Hongyu Ji,Xin Liu,Longtao Li,Fan Zhang,Liang Qin,Zhidong Lou,Dan Li,Yufeng Hu,Yanbing Hou,Feng Teng
摘要
The single BDA 2+ layer in D–J BDASnI 4 eliminates the van der Waals gap in R–P perovskites, enhancing the out-of-plane charge transport and structural stability. Polymer-gated BDASnI 4 FETs show improved performance and environmental stability.
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