Light-Tunable Polarity and Erasable Physisorption-Induced Memory Effect in Vertically Stacked InSe/SnS2 Self-Powered Photodetector

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作者
Yüe Zhao,Jiung Cho,Miri Choi,Cormac Ó Coileáin,S. K. Arora,Kuan‐Ming Hung,Ching‐Ray Chang,Mohamed Abid,Han‐Chun Wu
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:16 (10): 17347-17355 被引量:18
标识
DOI:10.1021/acsnano.2c08177
摘要

van der Waals heterojunctions with tunable polarity are being actively explored for more Moore and more-than-Moore device applications, as they can greatly simplify circuit design. However, inadequate control over the multifunctional operational states is still a challenge in their development. Here, we show that a vertically stacked InSe/SnS2 van der Waals heterojunction exhibits type-II band alignment, and its polarity can be tuned by an external electric field and by the wavelength and intensity of an illuminated light source. Moreover, such SnS2/InSe diodes are self-powered broadband photodetectors with good performance. The self-powered performance can be further enhanced significantly with gas adsorption, and the device can be quickly restored to the state before gas injection using a gate voltage pulse. Our results suggest a way to achieve and design multiple functions in a single device with multifield coupling of light, electrical field, gas, or other external stimulants.
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