Emerging Perovskite Materials with Different Nanostructures for Photodetectors

光电探测器 三卤化物 材料科学 钙钛矿(结构) 光电子学 半导体 光电二极管 纳米结构 纳米技术 带隙 纳米线 化学 结晶学 卤化物 无机化学
作者
Hao Gu,Shan‐Ci Chen,Qingdong Zheng
出处
期刊:Advanced Optical Materials [Wiley]
卷期号:9 (5) 被引量:54
标识
DOI:10.1002/adom.202001637
摘要

Abstract In recent years, solution‐processed lead trihalide perovskites have been widely used as semiconductors in photodetectors with their salient features of tunable direct bandgap, long carrier lifetime, extended diffusion length, and high carrier mobility, etc. For the photodetector application, perovskites with different structures ranging from the traditional 3D perovskites to the emerging 2D perovskites, to 1D nanowires, and to 0D quantum dots, have been synthesized. In this perspective, the recent advances in the strategies of preparing novel lead trihalide perovskites with different nanostructures are summarized together with an overview on their application in photodetectors including photoconductors, photodiodes, and phototransistors. The semiconductor selection and structure–performance relationships of various photodetectors over the past 5 years are discussed comprehensively. Finally, a brief summary as well as an in‐depth discussion regarding the current challenges and perspectives for the future development of perovskite‐based photodetectors is presented.
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