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作者
Qiang Fu,Xingchen Tang,Hang Liu,Rui Wang,Tingting Liu,Ziang Wu,Han Young Woo,Tong Zhou,Xiangjian Wan,Yongsheng Chen,Yongsheng Liu
摘要
) of 1.19 V with much improved stability. This efficiency is much higher than that of the control device using doped Spiro-OMeTAD HTM (PCE = 22.54%). Our work provides a very effective strategy to design and construct dopant-free hole transport materials for highly efficient perovskite solar cells and other applications.
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(2025-6-4)
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