The channeling effect of Al and N ion implantation in 4H–SiC during JFET integrated device processing

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作者
M. Lazar,Farah Laariedh,Pierre Crémillieu,Dominique Planson,Jean‐Louis Leclercq
出处
期刊:Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-beam Interactions With Materials and Atoms [Elsevier BV]
卷期号:365: 256-259 被引量:15
标识
DOI:10.1016/j.nimb.2015.07.033
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