A highly symmetrical 10 transistor 2-read/write dual-port static random access memory bitcell design in 28 nm high-k/metal-gate planar bulk CMOS technology

光电子学 材料科学 晶体管 CMOS芯片 薄膜晶体管 平面的 金属浇口 高-κ电介质 计算机科学 电气工程 制作 静态随机存取存储器
作者
Yuichiro Ishii,Miki Tanaka,Makoto Yabuuchi,Yohei Sawada,Shinji Tanaka,Koji Nii,Tien Yu Lu,Chun Hsien Huang,Shou Sian Chen,Yu Tse Kuo,Ching Cheng Lung,Osbert Cheng
出处
期刊:Japanese Journal of Applied Physics 卷期号:57
标识
DOI:10.7567/jjap.57.04fb10
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