Room temperature growth of CsPbBr3 single crystal for asymmetric MSM structure photodetector

材料科学 光电探测器 响应度 光电子学 钙钛矿(结构) 光致发光 量子效率 肖特基二极管 电极 肖特基势垒 单晶 偏压 半导体 激子 电压 二极管 结晶学 凝聚态物理 物理 化学 量子力学
作者
Longxing Su
出处
期刊:Journal of Materials Science & Technology [Elsevier BV]
卷期号:187: 113-122 被引量:7
标识
DOI:10.1016/j.jmst.2024.01.003
摘要

UV-visible broadband light harvesting ability is critical for photodetectors, and all inorganic perovskite CsPbBr3 is regarded as a promising candidate as the response active material. Herein, a saturated-solution crystallization method is employed to synthesize CsPbBr3 single crystal. Temperature-dependent photoluminescence spectra with one-photon and two-photon excitation are systematically investigated, determining a large exciton binding energy of 39.8 meV. This allows the stable excitonic emission of CsPbBr3 single crystal at room temperature. Subsequently, an asymmetric structure CsPbBr3 photodetector is fabricated by using InGa alloy as the Ohmic electrode and Au as the Schottky electrode. At -8 V, the device exhibits a prominent response to the irradiation from UV to green band with a maximum responsivity of 2.56 A/W, an external quantum efficiency of 580%, and a detectivity of 1.24 × 1013 Hz1/2 W−1. In addition, the CsPbBr3 photodetector also presents rapid response speeds at both reverse and forward bias voltages and self-powered characteristics owing to the Schottky depletion layer underneath the Au electrode. The demonstration of asymmetric metal-semiconductor-metal (MSM) structure photodetector presents a promising pathway toward next-generation CsPbBr3 optoelectronic devices.
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