Experimental Realization of Atomic Monolayer Si9C15

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作者
Zhao-Yan Gao,Wenhua Xu,Yixuan Gao,Roger Guzmán,Hui Guo,Xueyan Wang,Qi Zheng,Zhili Zhu,Yuyang Zhang,Xiuping Lin,Qing Huan,Geng Li,Lizhi Zhang,Wu Zhou,Hong‐Jun Gao
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:34 (35) 被引量:9
标识
DOI:10.1002/adma.202204779
摘要

Monolayer Six Cy constitutes an important family of 2D materials that is predicted to feature a honeycomb structure and appreciable bandgaps. However, due to its binary chemical nature and the lack of bulk polymorphs with a layered structure, the fabrication of such materials has so far been challenging. Here, the synthesis of atomic monolayer Si9 C15 on Ru (0001) and Rh(111) substrates is reported. A combination of scanning tunneling microscopy (STM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning transmission electron microscopy (STEM), and density functional theory (DFT) calculations is used to infer that the 2D lattice of Si9 C15 is a buckled honeycomb structure. Monolayer Si9 C15 shows semiconducting behavior with a bandgap of ≈1.9 eV. Remarkably, the Si9 C15 lattice remains intact after exposure to ambient conditions, indicating good air stability. The present work expands the 2D-materials library and provides a promising platform for future studies in nanoelectronics and nanophotonics.
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