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作者
Jiaxin Wang,Xing Wei,Jinzhe Xuan,Yan Zhang,Jibin Fan,Lei Ni,Yun Yang,Jian Liu,Ye Tian,Shu Ma,Li Duan
出处
期刊：CrystEngComm
[Royal Society of Chemistry]
日期：2023-01-01
卷期号：25 (15): 2326-2338
被引量：6
摘要
The effect on the band alignment of SnSe 2 /GaP heterojunctions was investigated by applying an external electric field and strain perpendicular to the interface between two monolayers of SnSe 2 and GaP.
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