Alkali Wet Chemicals for Ru with Advanced Semiconductor Technology Nodes

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作者
Yuki Kikkawa,Yuzan Suzuki,Kohei Saito,Hiroto Yarimizu,Satoko Kanamori,Tomoaki Sato,Toru Nagashima
出处
期刊:Solid State Phenomena 卷期号:346: 325-330 被引量:1
标识
DOI:10.4028/p-08chsp
摘要

Wet chemicals for ruthenium (Ru) etching are required for the formation of reliable Ru interconnects in advanced semiconductor technology nodes. In the present study, a novel alkali wet etchant, referred to as TK-1, has been developed in order to overcome issues with conventional Ru etchants, such as a low etch rate and the formation of toxic RuO 4 gas. Regardless of the Ru deposition process, TK-1 exhibits a high Ru etching selectivity of greater than 100 relative to dielectric and liner materials. It also suppresses the production of RuO 4 during the etching process. TK-1 has potential applications for Ru recess etching during fully self-aligned via fabrication.
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