Relaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer

材料科学 碳化硅 应力松弛 外延 压力(语言学) 残余应力 放松(心理学) 图层(电子) 异质结 缓冲器(光纤) 多孔硅 多孔性 复合材料 光电子学 哲学 蠕动 社会心理学 电信 语言学 计算机科学 心理学
作者
А. С. Гусев,Н. И. Каргин,S. M. Ryndya,Г. К. Сафаралиев,N. V. Siglovaya,M. O. Smirnova,I. O. Solomatin,A. O. Sultanov,А. А. Тимофеев
出处
期刊:Technical Physics [Pleiades Publishing]
卷期号:66 (7): 869-877 被引量:1
标识
DOI:10.1134/s1063784221060074
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