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(Invited) Factors Impacting Threshold Voltage in Advanced CMOS Integration: Gate Last (FINFET) vs. Gate First (FDSOI)

CMOS芯片 阈值电压 电气工程 光电子学 栅极电压 电子工程 电压 材料科学 计算机科学 工程类 晶体管
出处
期刊：Meeting abstracts 日期：2015-01-01
标识
DOI：10.1149/ma2015-02/18/821
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