Understanding the Correlation between the Crystallization Kinetics and Defect Formation in (FA)1.5Cs0.5AgBi(Cl0.75Br0.25)6 Double Perovskites

甲脒 材料科学 结晶 纳米晶 钙钛矿(结构) 卤化物 动力学 成核 化学物理 化学工程 结晶学 纳米技术 无机化学 化学 工程类 有机化学 物理 量子力学
作者
T. Raju,Ho-Jin Lee,Vignesh Murugadoss,Pavan Kumar Odugu,Wanqi Ren,Jang Hyuk Kwon,Tae Geun Kim
出处
期刊:ACS energy letters [American Chemical Society]
卷期号:: 468-477
标识
DOI:10.1021/acsenergylett.3c02270
摘要

Double perovskites, particularly Cs2AgBiCl6, have attracted substantial attention as promising alternatives to lead-halide perovskites because they are environmentally friendly. However, the integration of these double perovskites into light-emitting diodes (LEDs) remains challenging because of their poor performance, which is primarily attributed to a limited understanding of the correlation between crystallization and defect formation. In this study, deep-trap defects caused by B-site antisites and vacancies are introduced into the double perovskite formamidinium (FA)1.5Cs0.5AgBi(Cl0.75Br0.25)6 lattice during crystallization. Remarkably, valeric acid suppresses antisites and facilitates the formation of distinct nanocrystals with a structurally ordered double perovskite. Poly(ethylene oxide) encapsulates the perovskites in situ and passivates surface defects by modifying the grain boundaries. In this manner, the coadditive strategy boosts the performance of the double-perovskite-based deep blue LED with a record external quantum efficiency of 1.8% and peak luminance of 280 Cd/m2. This study significantly advances our understanding of double perovskites and provides new perspectives for future investigations.
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