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Revealing buried heterointerface energetics towards highly efficient perovskite solar cells

材料科学 钙钛矿(结构) 相变 图层(电子) 纳米技术 光电子学 化学物理 凝聚态物理 结晶学 物理 化学
作者
Shaobing Xiong,Jiang Sheng,Yefan Zhang,Zhiwei Lv,Rui‐Rong Bai,Yuting Yan,Quan Zeng,Xionghu Xu,Liming Ding,Yu‐Ning Wu,Xianjie Liu,Mats Fahlman,Qinye Bao
出处
期刊:Nano Energy [Elsevier]
卷期号:109: 108281-108281 被引量:13
标识
DOI:10.1016/j.nanoen.2023.108281
摘要

The heterointerfaces of charge-selective contacts are crucial in determining efficiency and stability of perovskite optoelectronic devices, where the fundamental knowledge of the buried heterointerface between perovskite and bottom charge transport layer is less well understood compared to the top interface. Herein, we systematically investigate the energetics at the perovskite/SnO2 buried heterointerface for an n-i-p perovskite solar cell (PSC) and the perovskite/PEDOT:PSS buried heterointerface for a p-i-n one, respectively. In contrast to previous cognitions, we discover a perovskite transition phase at the buried interface region that originates from the chemical bonding interaction with the bottom charge transport layer. The transition phase causes an energy level barrier and induces defects, impeding charge transport across the heterointerface. These detrimental effects trigger significant nonradiative recombination and limit the attainable device photovoltage. We then develop the energetic models that describe such buried heterointerfaces. Moreover, we further test the proposed model-derived mechanisms via inserting a thin polyvinyl alcohol layer into the buried heterointerfaces of the devices. We demonstrate that chemical interactions and formation of the perovskite transition phase at the buried heterointerface thereby are fully restrained, leading to a diminished electron extraction barrier and improved charge transport. As a result, significant increases in open-circuit voltage and fill factor of the devices are achieved. These results will help guide future efforts on developing suitable buried heterointerfaces for superior performance of perovskite optoelectronics.
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