Optimization of Alignment Model and Metrology During Backside EUV Lithography Patterning for CFET Technology

极紫外光刻平版印刷术计量学材料科学多重图案下一代光刻计算光刻光刻光电子学计算机科学纳米技术抵抗光学电子束光刻物理图层（电子）

作者

Sujan K. Sarkar,Andrea Mingardi Imec,Rajendra K. Saroj,Sandip Halder

标识

DOI：10.1109/ectc51687.2025.00153

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