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Threshold voltage in FD-SOI MOSFETs

绝缘体上的硅 阈值电压 MOSFET 量化（信号处理） 材料科学 光电子学 电容 晶体管 偏压 电子工程 电压 电气工程 计算机科学 物理 工程类 硅 算法 量子力学 电极
作者
G. Pananakakis,G. Ghibaudo,S. Cristoloveanu
出处
期刊：Solid-state Electronics [Elsevier BV]
日期：2024-04-30 卷期号：217: 108947-108947 被引量：8
标识
DOI：10.1016/j.sse.2024.108947
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