Interfacial charge analysis and temperature sensitivity of germanium source vertical tunnel FET with delta-doped layer

接受者 量子隧道 材料科学 兴奋剂 光电子学 晶体管 阈下传导 分析化学(期刊) 凝聚态物理 化学 电压 电气工程 物理 工程类 色谱法
作者
K. Vanlalawmpuia,Brinda Bhowmick
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:131: 114512-114512 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2022.114512

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