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Temperature-dependent electronic transport in reconfigurable transistors based on Ge on SOI and strained SOI platforms

绝缘体上的硅 材料科学 光电子学 晶体管 电气工程 工程类 电压
作者
Andreas Fuchsberger,Lukas Wind,Daniele Nazzari,Johannes Aberl,Enrique Prado Navarrete,Moritz Brehm,Jean‐Michel Hartmann,Frank Fournel,Lilian Vogl,Peter Schweizer,Andrew M. Minor,Masiar Sistani,W. Weber
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:: 109055-109055 被引量:1
标识
DOI:10.1016/j.sse.2024.109055

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