范德瓦尔斯力
材料科学
自旋(空气动力学)
凝聚态物理
工程物理
纳米技术
光电子学
热力学
物理
量子力学
分子
作者
Yazhou Deng,Kejia Zhu,Mingjie Wang,Tao Hu,Yu Wang,Bin Lei,Xianhui Chen
出处
期刊:Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期:2024-01-01
卷期号:16 (33): 15793-15800
被引量:1
摘要
We have prepared spin-valve devices without spacer layers based on Fe 3 GaTe 2 vdW homojunctions and observed notable two-state magnetoresistance.
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI