Molecular beam epitaxy of high-quality GaAs on Si (001) by multi-time thermal cycle annealing

分子束外延 材料科学 光电子学 退火(玻璃) 外延 位错 半导体 表面光洁度 表面粗糙度 纳米技术 复合材料 图层(电子)
作者
Chen Jiang,Hao Liu,Zhuoliang Liu,Jihong Ye,Hao Zhai,Shuaicheng Liu,Jiacheng Lin,Qi Wang,Xiaomin Ren
出处
期刊:Applied Physics A [Springer Science+Business Media]
卷期号:130 (1) 被引量:8
标识
DOI:10.1007/s00339-023-07162-3

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