Qualitative Analysis of Dual Material Gate (SiO2/HfO2) Underlapped on Drain Side TFET (DMGUD-TFET) Using Work Function Engineering

材料科学光电子学工作职能跨导量子隧道半导体硅晶体管栅氧化层纳米技术电气工程图层（电子）工程类电压

作者

Naga Swathi Tallapaneni,V. Megala

出处

期刊：Silicon [Springer Science+Business Media]
日期：2022-04-22 卷期号：14 (17): 11667-11673 被引量：6

标识

DOI：10.1007/s12633-022-01890-6

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