On the charge-handling capacity of epitaxial and ion-implanted GaAs buried channel charge-coupled devices

2014 La capacité de stockage en volume d'un D.T.C. GaAs a été étudiée à l'aide des solutions numériques des équations de Poisson 1-D et 2-D.Deux différentes technologies ont été envisagées : canal épitaxié avec grille Schott- ky et canal implanté avec grille M.I.S. Après avoir rappelé les conditions d'un stockage effectif en volume nous montrons qu'un D.T.C. à 3 phases et à grille Schottky permet d'atteindre la plus grande quantité de charges stockées.Une structure comportant un canal à double implant a été proposée pour éviter le contact des porteurs avec l'inter- face dans les D.T.C. à canal implanté.Pour les deux types de D.T.C., la capacité de stockage augmente quand la concentration du canal (ou la dose) ainsi que l'épaisseur du canal (ou la profondeur d'implant) sont réduits.