Proximity-induced antisymmetric humps in Hall resistivity in Fe-doped monolayer WSe2

电阻率和电导率 单层 反对称关系 兴奋剂 霍尔效应 凝聚态物理 材料科学 霍尔电导率 物理 纳米技术 量子力学 数学物理
作者
Mengqi Fang,Chunli Tang,Siwei Chen,Zitao Tang,Myung-Suk Choi,Jae Hyuck Jang,Hee‐Suk Chung,Maya Narayanan Nair,Wencan Jin,Eui‐Hyeok Yang
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:126 (10)
标识
DOI:10.1063/5.0250741
摘要

Non-collinear spin texture has attracted great attention since it provides an important probe of the interaction between electron and topological spin textures. While it has been widely reported in chiral magnets, oxide heterostructures, and hybrid systems such as ferromagnet/heavy metal and ferromagnet/topological insulators, the study of non-collinear spin texture in two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) dilute magnetic semiconductor (DMS) monolayers is relatively lacking, hindering the understanding at the atomically thin scale. Here, we probe the temperature-dependent antisymmetric humps in Hall resistivity by utilizing the proximity coupling of Fe-doped monolayer WSe2 (Fe:WSe2) synthesized using chemical vapor deposition on a Pt Hall bar. Multiple characterization methods were employed to demonstrate that Fe atoms substitutionally replace W atoms, making a 2D vdW DMS at room temperature. Distinct from the intrinsic anomalous Hall effect, we found the transverse Hall resistivity of Fe:WSe2 displaying two additional antisymmetric peak features in the temperature-dependent measurements. These peaks are attributed to the magnetic features at the Fe:WSe2 and Pt interface. Our work shows that a DMS synthesized from 2D vdW transition metal dichalcogenides is promising for realizing magnetic and spintronic applications.
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