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Enhancement of Electrical Characteristics Using a Nanoscale Inserted Gate Structure in FinFET

材料科学 纳米尺度 光电子学 纳米技术 工程物理 工程类
作者
Joonsung Ahn,Keon‐Ho Yoo,Tae Whan Kim
出处
期刊:Journal of Nanoscience and Nanotechnology [American Scientific Publishers]
卷期号:17 (10): 7223-7226
标识
DOI:10.1166/jnn.2017.14754
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