Toward Full Solution Processed Perovskite/Si Monolithic Tandem Solar Device With PCE Exceeding 20%

钙钛矿(结构) 串联 材料科学 光电子学 能量转换效率 带隙 钙钛矿太阳能电池 量子隧道 纳米技术 化学 结晶学 复合材料
作者
Rundong Fan,Ning Zhou,Lin Zhang,Rong Yang,Yuan Meng,Liwei Li,Tie Guo,Yihua Chen,Ziqi Xu,Guanhaojie Zheng,Yuan Huang,Liang Li,Liang Qin,Xiaohui Qiu,Qi Chen,Huanping Zhou
出处
期刊:Solar RRL [Wiley]
卷期号:1 (11) 被引量:89
标识
DOI:10.1002/solr.201700149
摘要

Recently, perovskite/Si devices have attracted enormous interest as an ideal technology for tandem cells, particularly due to the attributes from perovskite cell including low temperature processibility, tunable optical bandgap, and high open circuit voltage. Although solution process is considered to be cost effective and more widely adoptable for perovskite subcell, to the best of our knowledge, there has been no successful demonstration for the resulting high performance two‐terminal perovskite/Si cells. In this manuscript, solution process is employed to fabricate the key components in the two‐terminal perovskite/Si tandem solar cell, including tunneling junction and the perovskite absorber. The current density match between both cells is thoroughly studied by varing the perovskite bandgap from ≈1.55 to 1.69 eV. It was also revealed that the photovoltage modulation in the device is primarily associated to the band alignment over the perovskite and the tunneling materials. Therefore, a reverse scanned power conversion efficiency over 20% is demonstrated, the most efficient two‐terminal perovskite/Si device based on solution processed perovskite subcells.
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