Effect of Post-Annealing on Low-Temperature Solution-Processed High-Performance Indium Oxide Thin Film Transistors

材料科学 薄膜晶体管 退火(玻璃) 氧化物 光电子学 晶体管 工程物理 复合材料 冶金 电气工程 图层(电子) 工程类 电压
作者
Yeonwha Oh,Hoon Kim,Kyu‐Ha Baek,Lee‐Mi Do,Ga‐Won Lee,Chan‐mo Kang
出处
期刊:Science of Advanced Materials [American Scientific Publishers]
卷期号:10 (4): 518-521 被引量:4
标识
DOI:10.1166/sam.2018.3054
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