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Boost Lasing Performances of 2D Semiconductor in a Hybrid Tungsten Diselenide Monolayer/Cadmium Selenide Quantum Dots Microcavity Laser

激光阈值 材料科学 光电子学 二硒化钨 硒化镉 量子点 激光器 单层 量子点激光器 半导体 半导体激光器理论 光子学 光学 波长 纳米技术 物理 过渡金属 催化作用 化学 生物化学
作者
Hsiang‐Ting Lin,Chiao‐Yun Chang,Cheng‐Li Yu,Andrew Boyi Lee,Shih‐Yu Gu,Li‐Syuan Lu,Yuwei Zhang,Shih‐Yen Lin,Wen‐Hao Chang,Shu‐Wei Chang,Min‐Hsiung Shih
出处
期刊:Advanced Optical Materials [Wiley]
卷期号:10 (20) 被引量:5
标识
DOI:10.1002/adom.202200799
摘要

Abstract Monolayer (ML) transition metal dichalcogenides (TMDCs) are suitable for use in low‐threshold, room‐temperature lasers. 2D semiconductor lasers are coherent, compact, and are suitable for multispectral light sources. 0D quantum dot technology has been applied in broadband‐emitting devices and high‐quality display systems. Herein, dual‐color continuous‐wave microcavity lasers are investigated by integrating a tungsten diselenide (WSe 2 ) monolayer and cadmium selenide (CdSe) quantum dots (QDs) into a single microdisk cavity. The hybrid TMDC/QD microcavity device not only achieves lasing in two distinct wavelength regions but also boosts the lasing performances of the WSe 2 monolayer due to the energy conversion between the two gain materials. Variations in the spectra obtained under power‐dependent lasing are examined, and the temporal coherence properties of the lasing signals are also characterized to verify the lasing actions. The results indicate that the lasing threshold of the 2D WSe 2 monolayer cavity with the CdSe QDs is reduced by more than 2.5 times compared with the WSe 2 cavity without the QDs. These findings both expand the wavelength range of TMDC‐based compact lasers at room temperature and facilitate their implementation in applications such as photonic integrated circuits, broadband light‐emitting diodes, and quantum display systems.

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