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Performance and Stability Improvements in β-Ga 2 O 3 MOSFET With Thin HfAlO Gate Dielectric by O 2 Plasma Treatment
作者
Chengyi Tian,
Ying Li,
Chuanlun Zhang,
Shubo Wei,
Chengchao Li,
Hai‐xia Zhan,
Qingxuan Sun,
Hongxiang Bi,
Weifeng Yang
出处
期刊:
IEEE Transactions on Electron Devices
[Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期:2025-01-01
卷期号:: 1-8
标识
DOI:10.1109/ted.2025.3621417
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