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Using the 18-Electron Rule To Understand the Nominal 19-Electron Half-Heusler NbCoSb with Nb Vacancies

电子 热电效应 电子衍射 空位缺陷 材料科学 电子计数 热电材料 密度泛函理论 凝聚态物理 反射高能电子衍射 同步加速器 化学 物理 衍射 热力学 计算化学 量子力学
作者
Wolfgang G. Zeier,Shashwat Anand,Lihong Huang,Ran He,Hao Zhang,Zhifeng Ren,Chris Wolverton,G. Jeffrey Snyder
出处
期刊:Chemistry of Materials [American Chemical Society]
卷期号:29 (3): 1210-1217 被引量:109
标识
DOI:10.1021/acs.chemmater.6b04583
摘要

The 18-electron rule is a widely used criterion in the search for new half-Heusler thermoelectric materials. However, several 19-electron compounds such as NbCoSb have been found to be stable and exhibit thermoelectric properties rivaling state-of-the art materials. Using synchrotron X-ray diffraction and density functional theory calculations, we show that samples with nominal (19-electron) composition NbCoSb actually contain a half-Heusler phase with composition Nb0.84CoSb. The large amount of stable Nb vacancies reduces the overall electron count, which brings the stoichiometry of the compound close to an 18-electron count, and stabilizes the material. Excess electrons beyond 18 electrons provide heavy doping needed to make these good thermoelectric materials. This work demonstrates that considering possible defect chemistry and allowing small variation of electron counting leads to extra degrees of freedom for tailoring thermoelectric properties and exploring new compounds. Here we discuss the 18-electron rule as a guide to find defect-free half-Heusler semiconductors. Other electron counts such as 19-electron NbCoSb can also be expected to be stable as n-type metals, perhaps with cation vacancy defects to reduce the electron count.
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