Large and Dense Organic–Inorganic Hybrid Perovskite CH3NH3PbI3 Wafer Fabricated by One-Step Reactive Direct Wafer Production with High X-ray Sensitivity

材料科学 薄脆饼 钙钛矿(结构) 光电子学 表征(材料科学) 无机化学 纳米技术 化学工程 化学 工程类
作者
Mingxin Hu,Shanshan Jia,Yucheng Liu,Jian Cui,Yunxia Zhang,Han Su,Shuqing Cao,Lihong Mo,Depeng Chu,Guangtao Zhao,Kui Zhao,Zhou Yang,Shengzhong Liu
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:12 (14): 16592-16600 被引量:130
标识
DOI:10.1021/acsami.9b23158
摘要

Lead halide perovskites with good optoelectronic properties and high attenuation of high-energy radiation are great candidates for X-ray radiation detectors. Large area, dense, and thick films or wafers are a prerequisite for these applications. In this paper, a one-step heat-assisted high-pressure press method is developed to directly prepare a large (the largest has a diameter of 80 mm) and thickness- and shape-controlled phase-pure organic–inorganic hybrid CH3NH3PbI3 wafer of densely packed large microcrystals from raw powder materials. Meanwhile, this method uses no solvent to achieve essentially 100% material utilization. The obtained wafers show good ambipolar carrier mobilities of ∼20 cm2 V–1 s–1 and a μτ product as high as 3.84 × 10–4 cm2 V–1. Under an X-ray source using an acceleration voltage of 40 kV, the perovskite wafer-based X-ray detector shows an X-ray sensitivity as large as 1.22 × 105 μC Gyair–1 cm–2 under a 10 V bias, the highest reported for any perovskite material. The method provides a convenient strategy for producing large perovskite wafers with good optoelectronic properties, which will facilitate the development of large perovskite devices.
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