EL2-related studies in irradiated and implanted GaAs

2014 Le donneur profond EL2 est un defaut tres important par le role qu’il joue dans la compensation du materiau GaAs semi-isolant non dope. La connaissance de sa structure exacte devient de plus en plus necessaire. Nous presentons une revue des resultats experimentaux concernant la creation artificielle de EL2 par irradiation (electrons, neutrons) et egalement par implantation ionique avec et sans recuit. Ces etudes ont fortement contribue a specifier la nature de EL2 a savoir un defaut intrinseque complexe a base d’un arsenic antisite AsGa(AsGa + X). Nous soulignons de nouveaux concepts tels que les transitions par sauts dues au tunnelling des electrons entre defauts profonds proposees pour interpreter les resultats obtenus sur les materiaux implantes et irradies aux neutrons. Nous discutons egalement les principaux resultats de ces experiences de creations artificielles en fonction des plus recents modeles proposes pour EL2 a ce jour.