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作者
Yu. M. Basalaev,O. G. Basalaeva,E. V. Prosvirkina
标识
DOI:10.1134/s0022476622040096
摘要
The electronic structure of BePb–V2 crystals (V = N, P, As, Sb) with chalcopyrite structure is studied. The energy band structure and valence electron deformation density maps are calculated within the generalized gradient approximation (GGA). All the crystals are shown to be direct band gap semiconductors with band gaps Eg < 2 eV and negative crystal-field splitting values (eV): 1.98, –0.23 (BePbN2); 1.53, –0.31 (BePbP2); 1.29, –0.31 (BePbAs2); 0.73, –0.14 (BePbSb2).
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