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物理
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电介质
神经科学
作者
Yunlai Zhu,Zihan Qu,Xiaoteng Wang,Jishun Zhang,Zuheng Wu,Zuyu Xu,Fei Yang,Jun Wang,Yuehua Dai
摘要
In a 2D VS 2 /Ga 2 O 3 vdW ferroelectric heterostructure, a band structure reversion between the half-metal and semiconductor and electrostatic gating dependent multiple band alignments was realized, showing great potential in ferroelectric memories.
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