期刊:Bulletin de la Société française de minéralogie et de cristallographie [PERSEE Program] 日期:1969-01-01卷期号:92 (6): 590-594
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DOI:10.3406/bulmi.1969.6291
摘要
L'auteur de cet article se propose, à l'occasion d'une étude des processus d'épitaxie par transport en phase vapeur, de fournir aux chercheurs théoriciens quelques sujets de recherches intéressant au plus haut point les praticiens que sont les industriels. Il illustre cette collaboration en suggérant plusieurs axes de recherches concernant : l'étude des réactions à la source, les phénomènes dans la zone de transfert et les mécanismes de dépôt lors de l'épitaxie de semi-conducteurs en phase vapeur. La nécessité de compléter les données thermochimiques par l'étude de la cinétique de réactions et des mécanismes de croissance cristalline est soulignée.