Limits of funneling efficiency in non-uniformly strained 2D semiconductors

半导体 光电子学 材料科学
作者
Moshe G. Harats,Kirill I. Bolotin
出处
期刊:2D materials [IOP Publishing]
卷期号:8 (1): 015010-015010 被引量:9
标识
DOI:10.1088/2053-1583/abbabf
摘要

Abstract Photoexcited electron-hole pairs (excitons) in transition metal dichalcogenides (TMDC) experience an effective force when these materials are non-uniformly strained. In the case of strain produced by a sharp tip pressing at the center of a suspended TMDC membrane, the excitons are transported to the point of the highest strain at the center of the membrane. This effect, exciton funneling, can be used to increase photoconversion efficiency in TMDC, to explore exciton transport and to study correlated states of excitons arising at their high densities. Here, we analyze the limits of funneling efficiency in realistic device geometries. The funneling efficiency in realistic monolayer TMDCs is found to be low, < 5% both at room and low temperatures. This results from dominant diffusion at room temperature and short exciton lifetimes at low temperatures. On the other hand, in TMDC heterostructures with long exciton lifetimes the funneling efficiency reaches ∼50% at room temperature, as the exciton density reaches thermal equilibrium in the funnel. Finally, we show that Auger recombination limits funneling efficiency for intense illumination sources.
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