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The evolution of 2D vdW ferroelectric materials: Theoretical prediction, experiment confirmation, applications

铁电性 材料科学 范德瓦尔斯力 纳米技术 制作 表征(材料科学) 工程物理 半导体 计算机科学 光电子学 物理 电介质 医学 病理 量子力学 替代医学 分子
作者
Hong Wang,Yusong Tang,Xu Han,Jialiang Yang,Xin Zhang,Xiaobing Yan
出处
期刊:Applied physics reviews [American Institute of Physics]
卷期号:11 (2) 被引量:11
标识
DOI:10.1063/5.0172353
摘要

Since J. Valasek first discovered ferroelectric materials in 1920, researchers have been exploring continuously in various fields through theory and experiments. With the rapid development of the computing technology, energy efficiency and size requirements of semiconductor devices are becoming increasingly demanding. However, the conventional ferroelectric materials, which have been limited by physical size restrictions, can no longer satisfy the above requirements. Two-dimensional (2D) ferroelectric materials can effectively overcome the size limitation of traditional ferroelectrics due to the weak van der Waals force between layers, which is easy to thin while retaining their own unique properties. Currently, a small number of 2D materials have been proved to be ferroelectric properties by experiments and have shown great application potential in nanoscale electrical and optoelectronic devices, expected to become the leaders of next-generation computing. In this review, the current 2D ferroelectric materials are summarized and discussed in detail from seven aspects: theoretical prediction, fabrication methods, ferroelectric characterization methods, principles of typical 2D ferroelectrics, optimization methods of ferroelectric performance, application, and challenges. Finally, the development of 2D ferroelectric materials looks into the future.
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