Back Interface and Absorber Bulk Deep‐Level Trap Optimization Enables Highly Efficient Flexible Antimony Triselenide Solar Cell

材料科学 弯曲 接口(物质) 基质(水族馆) 带材弯曲 太阳能电池 图层(电子) 光电子学 纳米技术 箔法 复合材料 接触角 冶金 地质学 海洋学 坐滴法
作者
Jia Yang,Mingdong Chen,Guojie Chen,Yanqing Hou,Zhenghua Su,Shuo Chen,Jun Zhao,Guangxing Liang
出处
期刊:Advanced Science [Wiley]
卷期号:11 (22) 被引量:3
标识
DOI:10.1002/advs.202310193
摘要

Abstract The unique 1D crystal structure of Antimony Triselenide (Sb 2 Se 3 ) offers notable potential for use in flexible, lightweight devices due to its excellent bending characteristics. However, fabricating high‐efficiency flexible Sb 2 Se 3 solar cells is challenging, primarily due to the suboptimal contact interface between the embedded Sb 2 Se 3 layer and the molybdenum back‐contact, compounded by complex intrinsic defects. This study introduces a novel Molybdenum Trioxide (MoO 3 ) interlayer to address the back contact interface issues in flexible Sb 2 Se 3 devices. Further investigations indicate that incorporating a MoO 3 interlayer not only enhances the crystalline quality but also promotes a favorable [hk1] growth orientation in the Sb 2 Se 3 absorber layer. It also reduces the barrier height at the back contact interface and effectively passivates harmful defects. As a result, the flexible Sb 2 Se 3 solar cell, featuring a Mo‐foil/Mo/MoO 3 /Sb 2 Se 3 /CdS/ITO/Ag substrate structure, demonstrates exceptional flexibility and durability, enduring large bending radii and multiple bending cycles while achieving an impressive efficiency of 8.23%. This research offers a straightforward approach to enhancing the performance of flexible Sb 2 Se 3 devices, thereby expanding their application scope in the field of photovoltaics.
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