非易失性存储器
铁电性
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数学分析
作者
Pankaj Sharma,Qi Zhang,Daniel Sando,Chihou Lei,Yunya Liu,Jiangyu Li,V. Nagarajan,Jan Seidel
出处
期刊:Science Advances
[American Association for the Advancement of Science]
日期:2017-06-02
卷期号:3 (6)
被引量:326
标识
DOI:10.1126/sciadv.1700512
摘要
A nonvolatile highly scalable multilevel memory based on ferroelectric domain walls is demonstrated.
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