In-Sensor Polarimetric Optoelectronic Computing Based on Gate-Tunable 2D Photodetector

光电探测器 光电子学 旋光法 材料科学 逻辑门 电气工程 计算机科学 光学 物理 工程类 散射
作者
Yali Yu,Qunrui Deng,Kaiyao Xin,Nengjie Huo,Zhongming Wei
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:45 (4): 645-648 被引量:2
标识
DOI:10.1109/led.2024.3362827
摘要

High-precision image processing is an essential component in diverse applications. A significant challenge in current CMOS image sensors is the separation of front-end image capture from back-end image processing. The operational gap necessitates the transfer of data between the sensing and computing units, resulting in increased power consumption. Addressing this issue, the study focuses on the imperative need to integrate in-sensor computing approaches, reducing power consumption. In this work, a gate-tunable and polarization-sensitive photodetector was fabricated using a tungsten diselenide/molybdenum ditelluride van der Waals heterostructure. Benefiting from the gate-tunable and polarization-sensitive attributes of the photodetector, the research demonstrates the induction of optoelectronic reversal for both positive and negative values, which yields changeable polarized photocurrent for in-sensor computing. With programmed image filter kernels of $3 \times 3$ , the device exhibits the capacity to undertake image processing tasks, including sharpen, box blur, and Sobel operations.
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