掺杂剂
接触电阻
CMOS芯片
材料科学
晶体管
光电子学
纳米技术
掺杂剂活化
兴奋剂
电气工程
工程类
电压
图层(电子)
作者
Inha Kim,Naoki Higashitarumizu,I. K. M. Reaz Rahman,Shu Wang,Hyong Min Kim,Jamie Geng,Rajiv Ramanujam Prabhakar,Joel W. Ager,Ali Javey
出处
期刊:Nano Letters
[American Chemical Society]
日期:2024-10-18
被引量:5
标识
DOI:10.1021/acs.nanolett.4c02948
摘要
High contact resistance has been a bottleneck in developing high-performance transition-metal dichalcogenide (TMD) based
科研通智能强力驱动
Strongly Powered by AbleSci AI