Comparison of Output Characteristics of Vanadium-Compensated 4H-SiC PCSS at 1064 nm and 355 nm

材料科学 光电子学 碳化硅 宽禁带半导体 冶金
作者
Fuyin Liu,Ripin Wang,Ting He,Bohan Li,Yu‐Chen Liu,Muyu Yi,Langning Wang,Tao Xun
出处
期刊:IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:46 (7): 1147-1150
标识
DOI:10.1109/led.2025.3564770

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