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Solution Processable Pentafluorophenyl End‐Capped Dithienothiophene Organic Semiconductors for Hole‐Transporting Organic Field Effect Transistors

材料科学 噻吩 位阻效应 电子迁移率 堆积 有机半导体 轨道能级差 共轭体系 半导体 有机场效应晶体管 场效应晶体管 晶体管 结晶学 光电子学
作者
Arulmozhi Velusamy,Yung-Chi Yang,Chia Chi Lin,Shakil N. Afraj,Kexing Jiang,Peng-Sheng Chen,Shuehlin Yau,Itaru Osaka,Shih-Huang Tung,Ming-Chou Chen,Cheng-Liang Liu
出处
期刊:Advanced electronic materials [Wiley]
卷期号:: 2100648-2100648
标识
DOI:10.1002/aelm.202100648
摘要

Two solution-processable organic semiconductors, DFPT-DTTR (1) and DFPbT-DTTR (2), composed of pentafluorophenyl (FP) end-capped 3,5-dialkyl dithienothiophene (DTTR) core with thiophene (T) or bithiophene (bT) as π-bridged spacers are developed and investigated for their optical, electrochemical, microstructural, and electrical properties. With more conjugated bithiophene units, compound 2 exhibits a red-shifted UV–vis absorption band and upshifted HOMO/downshifted LUMO energy levels. According to the density functional theory, compound 2 features a more twisted molecular structure due to the intrinsic non-coplanar blocks in the π-backbones. Compound 1-based organic field effect transistors exhibit efficient hole transport with mobility up to 0.48 cm2 V−1 s−1. This is one of the high mobility organic semiconductors exhibiting p-channel characteristics based on solution-processable small molecular FP end-capped fused/oligothiophenes. With large and interconnected crystalline morphologies, decreased π–π stacking distance, and less steric hindrance, compound 1 exhibits two orders of magnitude higher mobility than the more distorted 2, which exhibits lower hole mobility of 1.82 × 10−3 cm2 V−1 s−1.
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