Augmentation de la mobilité des porteurs de charge dans des films minces de sexithiophène par inclusion électrochimique d’ions métalliques

La mobilité des porteurs de charge de films minces de sexithiophène α-6T semi-conducteur peut être augmentée de deux à trois ordres de grandeur par inclusion d’ions métalliques Ag et Cu au moyen d’une technique électrochimique impulsionnelle. Des mobilités atteignant 0,7 cm2 V-1 s-1 sont obtenues sur des structures symétriques Au/α-6T/Au. L’analyse des courbes courant-tension montre l’existence d’un régime purement ohmique (V < 0,1 V) suivi d’un régime de courant limité par la charge d’espace (CLCE) au-delà de 0,5 V. Ce résultat peut s’expliquer (1) par une diminution de la résistance de contact et (2) la création de relais métalliques améliorant le taux de transfert des charges d’une chaîne à l’autre. L’utilisation de cette technique peut être envisagée dans l’élaboration de composants électroniques moléculaires comme des transistors à effet de champ.