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Ion Gel‐Gated Quasi‐Solid‐State Vertical Organic Electrochemical Transistor and Inverter

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作者
Sang Young Jeong,Jung Woo Moon,Soonyong Lee,Ziang Wu,Sung Hyeon Park,Jeong Ho Cho,Han Young Woo
出处
期刊:Advanced electronic materials [Wiley]
卷期号:9 (6) 被引量:31
标识
DOI:10.1002/aelm.202300053
摘要

Abstract Parallel‐type organic electrochemical transistors (p‐OECTs) with aqueous electrolyte gate dielectrics have been widely studied for transducing biological signals into electrical signals. However, aqueous liquid electrolyte‐based p‐OECTs suffer from poor device stability, low transconductance ( g m ), and limited applications. In this study, a quasi‐solid‐state ion gel‐gated vertical‐type OECT (v‐OECT) and NOT logic gate are successfully demonstrated by combining both p‐type and n‐type v‐OECTs for the first time. Indacenodithiophene (IDT) polymers with alkyl (PIDTC16‐BT) and oligoethylene glycol (OEG) substituents (PIDTPEG‐BT) are studied as a channel material, and an ionic liquid in a crosslinked polymer matrix is adopted as a quasi‐solid electrolyte. Compared to aqueous devices, an enlarged electrochemical window and improved operational stability are observed. Notably, the v‐OECTs have a significantly larger channel area (50 × 50 µm 2 ) and shorter channel length (≈30 nm), yielding a dramatically increased g m . As‐spun PIDTC16‐BT films exhibit a noticeably higher g m of 72.8 mS than that of previous p‐OECTs along with superior device stability, despite a low volumetric capacitance. In the case of v‐OECTs, face‐on intermolecular packing is required to increase the carrier transport in a vertical direction. Logic gates are successfully demonstrated using p‐ and n‐type v‐OECTs, suggesting the potential of OECT‐based next‐generation electronics.
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