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作者
Sergey V. Faleev,Yari Ferrante,Jaewoo Jeong,Mahesh G. Samant,Barbara Jones,Stuart S. P. Parkin
出处
期刊:Physical review applied
[American Physical Society]
日期:2017-03-24
卷期号:7 (3)
被引量:130
标识
DOI:10.1103/physrevapplied.7.034022
摘要
Spin-transfer-torque magnetic random-access memory (STT-MRAM) is one of the leading emerging technologies for nonvolatile memory. Key to its development is identifying magnetic materials with sufficient perpendicular magnetic anisotropy (PMA). The authors describe the general mechanism of tetragonal distortion in Heusler compounds, a class of promising materials for STT-MRAM, with over 2000 members. This study offers guidance for finding tetragonal Heusler alloys with high PMA.
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