High‐Quality Sequential‐Vapor‐Deposited Cs2AgBiBr6 Thin Films for Lead‐Free Perovskite Solar Cells

材料科学 三卤化物 薄膜 钙钛矿(结构) 光致发光 制作 沉积(地质) 光电子学 粒度 能量转换效率 纳米技术 化学气相沉积 化学工程 复合材料 无机化学 化学 卤化物 替代医学 病理 沉积物 医学 古生物学 工程类 生物
作者
Ming Wang,Peng Zeng,Sai Bai,Jinwen Gu,Faming Li,Junqing Yan,Mingzhen Liu
出处
期刊:Solar RRL [Wiley]
卷期号:2 (12) 被引量:160
标识
DOI:10.1002/solr.201800217
摘要

Lead‐free double perovskites have been demonstrated as promising alternatives to solve the toxicity and stability issues in conventional lead trihalide perovskites. However, different solubility of components in the precursors hinders fabrication of double perovskite films with commonly used solution procedures. Here, for the first time, the authors successfully prepared double perovskite Cs 2 AgBiBr 6 thin films throughout a sequential‐vapor‐deposition procedure. The obtained thin films with pure double perovskite phase show large grain sizes, uniform, and smooth surface properties. In addition, the high‐quality vapor‐deposited Cs 2 AgBiBr 6 films exhibit a photoluminescence (PL) lifetime of 117 ns, indicative of significant potential in photovoltaic applications. The resulting solar cells with planar device structure show an optimized power conversion efficiency of 1.37%, which can be maintained at 90% after 240 h of storage under ambient condition. Our results demonstrate the feasibility of employing vapor deposition technique to fabricate high‐quality double perovskite thin films, which paves the way for further development of various optoelectronic devices based on these promising lead‐free semiconductors.
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