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出处
期刊:Solid-state circuits newsletter
[Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期:2008-01-01
卷期号:13 (1): 37-41
被引量:6
标识
DOI:10.1109/n-ssc.2008.4785690
摘要
The author chronicles the development of the stacked three-dimensional (3D) DRAM cell, highlighting his role in solving the problems of memory data-bandwidth and forecasting a dramatic increase in memory capacity based on his current work using "super-chip" integration technology.
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