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作者
Hsing-Yang Chen,Yu‐Sen Jiang,Chun-Ho Chuang,Chi-Lin Mo,Ting‐Yun Wang,Hsin-Chih Lin,Miin‐Jang Chen
出处
期刊：Nanotechnology
[IOP Publishing]
日期：2023-11-23
卷期号：35 (10): 105201-105201
被引量：15
标识
DOI：10.1088/1361-6528/ad0f52
摘要
) at the W/HZO interfaces, as revealed by high-resolution transmission microscopy, is also responsible for the enhancement of ferroelectric properties. This study demonstrates the significant effects of different CTEs and WFs of TE and BE on the properties of ferroelectric HZO thin films.
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